薄膜电阻器提供不渗透硫的解决方案

当前的小型化趋势将电阻器技术推到了极限。例如，0201尺寸的片状电阻器仅封装就大约占到了元件总成本的60%。
对某些在电路板上同一相邻位置使用相同电阻值的设计来说，片状元件阵列可以帮助缓解布局和封装问题。不过，这并不适用于所有厂商。
　　厚膜和薄膜技术的最近发展可以在给定的芯片尺寸上实现更高的额定功率。众所周知，与厚膜电阻元件相比，薄膜电阻元件具有众多性能优势，而厚膜电阻器唯一的明显优势就是成本。
　　借助最新的材料和工艺进步，这种明显的成本差别可被显著降低，这很可能会对片状电阻器市场产生重大影响。目前，一种合理的预期是，容差1%、电阻温度系数（TCR）为±100×10-6/℃的商品薄膜片状电阻器的价位将与同等精度的厚膜电阻器的价位大致相同。
　　在硫含量较高的环境，例如汽车装备、工业设备和重型农用和建筑设备中，由于硫化银的形成，常见的厚膜片状电阻器会出现阻值偏移问题。硫渗过电镀层和屏蔽层，与银接触形成硫化银。
　　硫化银是不导电的，而持续暴露在硫环境中将意味着更多硫化银的形成，直到所有的银都完全转化成硫化银。导电层将因此被中断，而该元件将变成开路。
对任何汽车或工业设备制造商而言，这是一种特别令人沮丧的现象，因为它是一种在制造时完全无法检测的潜在故障。有些汽车和工业设备制造商已经通过密封电子设备，成功地阻止了硫化银的形成，但要将该方法应用于所有情况并不可行，而且这并不是一种能确保防止硫污染的可靠方法。

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