日本佳能公司正在通过光刻机加快其对高功能半导体市场的占领。佳能7年来首次更新了其用于小型基板的半导体光刻机，以提高生产效率。在对电动汽车（EV）的功率半导体和物联网传感器的需求预期扩大的背景下，佳能正在推进支持多种半导体的产品战略。目标是在由三大巨头垄断的光刻机市场中建立独立的地位。佳能将发布一款新型光刻机“ FPA-3030i5a”。 2021年3月，该设备使用了“ i-line”波长为365纳米的光源，其直径从2英寸（约5厘米）到8英寸（约20厘米）不等。小基材。分辨率为0.35微米，并且用于测量晶圆位置的组件和软件已更新。这是其i-line（365nm波长）步进光刻系统系列中的最新产品，可支持包括化合物半导体在内的器件制造。新系统的设计还有助于降低拥有成本。 FPA-3030i5a步进光刻机设计用于处理直径在50mm（2英寸）到200mm（8英寸）之间的小型基板。它不仅支持硅晶片，还支持常见的化合物半导体材料，例如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。用于5G通信的功率设备，高带宽视频处理和通信设备。 FPA-3030i5a步进光刻机的硬件和软件已在其先前产品FPA-3030i5步进光刻机（2012年6月发布）的基础上进行了升级，以帮助降低CoO。 FPA-3030i5a继承了FPA-3030i5的分辨率，可以曝光0.35μm3的线宽图案，同时提供了强大的对齐选项并提高了生产效率。新系统使用高速晶圆进给系统，该系统可以配置为处理各种晶圆材料和尺寸，包括直径为50-200mm的化合物半导体。 FPA-3030i5a使用新的离轴对准范围来照亮和测量晶片对准标记。对准系统可以通过使用宽范围的照明波长来帮助优化对准条件，而不是通过投影透镜观察标记。配备有可选的硅直通（TSA）系统的FPA-3030i5a步进光刻机也可以使用红外光穿过基板进行背面对准。新的对准系统还缩短了对准标记的测量时间。缩短的对准时间，高速进给系统和升级的软件使FPA-3030i5a能够以200毫米（8英寸）的晶圆每小时（wph）的速度处理123个晶圆。与上一代相比，提高了生产效率。减少了约17％。新的光刻机还使用了新的腔室温度控制系统，可以将光刻系统保持在清洁的环境中并保持恒定的温度水平。与以前的模型相比，新设计有助于将功耗降低约20％，并且通过此改进，该系统有助于降低CoO。佳能总结说，通过引入FPA-3030i5a并利用其先进的功能，系统所有者可以使用尺寸范围从50mm至200mm的各种晶片材料（包括硅，SiC，GaN和其他化合物半导体）来制造特殊的电源和通信。设备。在半导体光刻机领域，荷兰的ASML以及日本的佳能和尼康等三家公司占据了全球90％以上的份额。 ASML可以使用短波长“ EUV”。光源目前在改进领域中处于有利的位置，该领域促进了半导体性能的改善。佳能光学设备业务部副业务总监三浦诚治也表示，佳能将根据客户生产的半导体类型（例如半导体材料和基板尺寸）扩展其产品线。根据客户需求，开发并组合机身和晶圆台的三个主要单元，投影镜头和校准示波器，以建立一个完整的产品组。佳能还致力于开发用于“后处理”印刷机的光刻机。 （在生产半导体芯片等之后进行封装处理）。 2020年7月，推出了适用于515 mm×510 mm大型基板的光刻机。这样，可以满足将多个芯片布置在一起并一次进行精细布线和封装的需求。佳能公司还致力于研发用于“纳米压印”的光刻设备。 （将嵌入有电路图案的模板压在面板上