为什么使用FRAM的MCU具有许多优势？例如：TI做过一个实验。如果要将13Kbps数据写入DRAM，则需要1秒钟。完成写入功能大约需要2200uA，但是如果使用FRAM进行写入，则仅需要10ms和9uA。数据被写入。通过比较，我们可以看到，如果要将大量数据写入闪存等传统存储器中，FRAM将更快并且需要最低的功耗。从擦除和写入数据的次数来看，一般存储器在写入10,000次时已达到其极限，但是FRAM在写入10次后仍可以继续擦除和写入。由于FRAM和SDRAM的写入速度几乎相同，因此TI在整个MCU架构中进行了全面选择，这意味着在一个MCU中放置了16个FRAM。此时，FRAM可用作SDRAM或闪存。和EEPROM配合使用，使整体存储器更高效，更方便使用。这是一种全新的MCU存储技术。 FRAM在应用程序层中适合什么位置？ FRAM应用于传感器的优势可以清楚地体现出来。 FRAM可以快速记录传感器获取的数据。如果使用Flash来执行此操作，则写入数据将花费很长时间。读取传感器数据后，请再次写入，重复进行间歇性的读取和写入。该操作使每个数据点分离，并且无法实现数据读取和写入的连续性。在射频的应用中，由于速度的限制，闪光灯会增加很高的功耗。如果使用FRAM同步读取和传输高速数据，则可以节省时间并大大降低功耗。例如，在传感器数据记录中，其他存储介质由于功耗而限制了传感器的放置，这增加了维护成本。使用FRAM的MCU通过能量收集技术可将更多传感器放置在更多位置。由于当前的大多数MCU存储介质都使用闪存，因此TI将自然而然地将FRAM的优势用于存储器闪存。例如有限的数据更新/写入速度以及连续可靠的监视，存储和RF传输；选择性监测和连续监测；电池寿命长达1个月，电池寿命少于6小时：数据块级擦除和编程以及位级访问；需要冗余（镜像）存储块，并且在断电的情况下可以保证写操作。 q