1月24日,苏州纳维塔斯技术有限公司(以下简称“纳维塔斯技术”)总部大楼的奠基仪式在苏州纳米城举行。
该项目占地面积超过14,000平方米,总建筑面积超过34,000平方米。
它将建成全球三大氮化镓(GaN)单晶衬底研发基地和高端产品生产基地。
预计每年将生产氮化镓单晶。
50,000个基板和外延晶片。
据苏州纳米城介绍,公司已经实现了2英寸氮化镓单晶基板的生产,完成了4英寸产品的工程技术开发,突破了6英寸产品的关键核心技术,成为国内唯一的公司。
能够同时批处理。
提供国际领先产品性能的2英寸高电导,半绝缘氮化镓单晶的公司,并先后获得首届苏州古苏双创新人才和首批科技领先人才企业等荣誉在公园里。
纳维达董事长徐克表示:“我们将继续一如既往地努力,争取每亩征税200万元,建立世界上三大GaN单晶衬底和高端研发基地。
产品生产基地。
!”目前,苏州工业园区已经培养了纳维科技等一批具有强大创新动力的公司,第三代半导体上,中,下游产业链的规模已经开始显现。
它已经收集了80%的国家氮化镓领域的“国家级“关键人才””。
掌握了多项核心自主知识产权,已成为中国最具影响力的人才和技术高地。