随着半导体工艺技术的不断进步，芯片工艺的不断发展以及成本的不断降低，半导体芯片被广泛应用于物联网，个人终端，汽车电子，可穿戴设备和工业互联网等各个领域。随着芯片技术的逐步升级，性能问题不再是芯片设计的主要瓶颈。例如，在许多手持设备领域，低功耗设计已成为芯片设计中的关键核心问题。通过引入基于磁存储芯片的芯片架构作为内部存储设备，并同时作为芯片内部的高速缓存，可以有效减少芯片泄漏电流，有效增加设备使用时间，降低总体TCO成本，大大提高提高产品竞争力。在许多新的非易失性存储介质中，磁存储芯片（STT-MRAM）与CMOS半导体工艺很好地兼容，并且可以用更少的金属层实现存储单元的高密度集成。同时，由于其接近静态随机存取存储器（SRAM）的读写速度，极低的静态和动态功耗，断电时的非易失性特性，接近无限的擦除和写入时间，长期高温下的数据保留和抵抗性强磁场辐射和其他特性是企业级SSD控制器中数据缓存和FTL条目存储的天然良好介质。目前，许多主要的半导体设计公司都将MRAM芯片作为下一代非易失性存储介质的研究和开发重点。除了台积电，三星和东芝一直在不断推动STT-MRAM的发展外，美国的EverspinMRAM已经发布了量产的STT-MRAM芯片。嵌入式STT-MRAM用于芯片架构设计，以充分利用其掉电后不容易丢失数据的功能，并可以完全关闭存储部分的电源，从而显着降低了其泄漏电流和静态功耗。整个芯片。 q