晶体管和运算放大器组成的几个恒流源电路分析
第二类RL是虚拟土地,很少使用。尽管RL悬空,但第三种类型更常用,因为RL的一端连接到正电源端子。
第四个是正反馈平衡型,由于负载RL接地,因此受到人们的喜爱。第五和第四原理相同,但是电流输出能力得到了扩展。
人们通常会采用比使用中的负载RL大得多的电阻R2,而忽略跟随器运算放大器。该电路也是对地面的负载。
后两个是恒流源电路。比较几个V / I电路,任何单向设备(例如三极管)都可以实现AC恒定电流。
添加三极管后,它只能做单向直流恒流。第四和第五是基于正反馈和负反馈的平衡。
如果由于电阻误差而失去平衡,则会影响恒流输出特性,也就是说,输出电流会随负载而变化。其他类型电阻器的误差只会影响输出电流的值,而不会影响输出特性。
如果输出电流很大或三极管的集电极电流和发射极电流不相等,则可以用MOSFET代替三极管。 END免责声明:本文的内容经21ic授权后发布,版权归原始作者所有。
该平台仅提供信息存储服务。本文仅代表作者的个人观点,并不代表该平台的立场。
如有任何疑问,请与我们联系,谢谢!。
您可能还喜欢这些产品
- 双极晶体管与高压晶体管的技术原理及应用对比分析
双极晶体管与高压晶体管的核心技术解析双极晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT)是电子电路中广泛应用的一种半导体器件,其工作原理基于电子和空穴
SGM8051高速运算放大器SGM8051/3(单)、SGM8052/5(双)和SGM8054(四)是具有电压反馈功能的高速运算放大器。这些设备可在2.5V至5.5V单电源下工作。SGM8051/2/3/4/5的最大输入偏置电
- SGM5532低噪声运算放大器
SGM5532是一款双路低噪声运算放大器,在5V至36V的宽电源范围内工作。SGM5532提供5nV/√Hz的低失真超低噪声。它还具有单位增益带宽、高转换速率和高输出电
LM321专用运算放大器圣邦微ICLM321是一个单高增益频率补偿运算放大器,可在3V至32V单电源或±1.5V至±16V双电源工作,同时仅消耗240μa静态电流。LM321具有低功率、低偏置电压和低偏置
- 金属氧化物半导体场效应晶体管在气敏传感器中的应用与性能分析
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在气敏元件中的核心作用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为现代微电子器件的核心组件,近年来在气
- 从基础到前沿:双极晶体管与高压晶体管的发展趋势展望
双极晶体管与高压晶体管的演进路径与未来方向随着半导体材料与制造工艺的进步,双极晶体管与高压晶体管正朝着更高性能、更小体积和更强集成度的
单结晶体管的原理和特性1.结构单结晶体管的内部结构、符号表示、等效电路和引脚布置如图1(a)、(b)、(c)和(d)所示。引脚B1和B2分别为第一基极和第二基极(双基极)
无源晶振和有源晶振的区别有源晶体振荡器与无源晶体振荡器的区别1.无源晶体振荡器的英文名称不同于有源晶体振荡器。无源晶体振荡器是晶体,而有源晶体振荡器称为振荡器。
有源晶振和无源晶振的区别1、信号质量有源晶体振荡器不需要DSP的内部振荡器,信号质量好且相对稳定,连接方式相对简单(主要是为了做好功率滤波,通常采用由电容和电感组成
电阻器结构上分为几大类电阻器是广泛应用于各个领域的基本电子元件。根据其结构特点,电阻器可分为以下几类: 1、碳膜电阻器碳膜电阻器是一种结构简单
晶体频率和晶片之间的关系是什么?一般来说,石英晶体越薄,频率越高。例如,厚度为16.7mm的晶片的频率可以达到100MHz,而厚度为41.75mm的晶片频率只能达到约40MHz。晶体越薄,损耗越高。
晶闸管和二极管的区别二极管是一种单向导电器件。晶闸管有单向和双向之分。通常,晶闸管在接通后不能自动关闭。只有当施加的电压降到0甚至反转时,晶闸
并联电阻具有分流作用组织越大的电阻分得电流越大电阻器是电路中已知最早的元件,也是最简单的元件。除了具有特定阻值的电阻器(如色环电阻器、贴片电阻器等)外,我们日常生活中常用的电炉、电
- 功率放大器电容(增加功率放大器电容的优点和缺点是什么)
功率放大器的输入电容器容量的大小会影响什么?相对而言,电容器的电容阻抗对中高频信号具有较小的电阻,而对低频信号具有较大的电阻。电容越小
SGM5347-8数模转换器和输出放大器SGM5347-8具有8通道8位数模转换器(DAC)和输出放大器。输出放大器提供高电流驱动能力数字数据通过串行链路总线输入三条控制线可以使用级联连接除了
用于分析和改进锂离子电池效率和寿命的 Precision Bulk Metal® Z 箔电流检测电阻器Bulk Metal® Z-Foil 电流检测电阻器的使用显着降低了噪声水平,从而显着提高了用于测试和改进锂电池的高精度和超高精度充电器的准确度- 离子电池的效率
- 金属氧化物半导体场效应晶体管的技术演进与未来发展方向
从传统平面结构到三维架构:MOSFET的进化之路自1960年代首次提出以来,金属氧化物半导体场效应晶体管经历了多次重大技术革新。早期的平面型MOSFET在2
- 有源元件与电源系统集成:实现高效电力管理的关键
有源元件在电源系统中的核心地位与协同设计有源元件(如晶体管、MOSFET、IC控制器)具备主动调控能力,能够根据负载变化动态调整电源输出,是现代
合金和金属哪个电阻大一般来说,合金的电阻率确实大于纯金属的电阻率,这是由于混合后金属的当前常数的差异引起的晶格畸变,这种晶格畸变对电子运动有很强的散射作用
- 电源外加电源法求等效电阻:受控源电路分析的实用技巧
电源外加电源法在受控源电路中的应用解析在电路分析中,求解复杂网络的等效电阻是一项基础但关键的任务。当电路中包含受控源(如电压控制电流源
